인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)은 높은 전기 전도도와 투명성을 지닌 대표적인 투명 전도성 산화물로서, 인듐 산화물 격자 내에 5–10 wt%의 주석이 도핑 되어 있다. ITO는 낮은 바탕 전류와 넓은 사용 가능 전압 범위 등 우수한 전기화학적 특성을 가지며, 표면 개질이 용이하여 다양한 전기화학 센서의 기판으로 활용되고 있다. 그러나 카본 및 금속 전극에 비해 촉매 활성이 낮아 주로 표면에 효소나 금속 등의 촉매 물질을 고정시켜 사용된다. 본 총설에서는 ITO 전극의 제작 방법과 표면의 성질, 다양한 표면 개질 방법을 종합적으로 소개하고, 전기화학 센서에 활용된 사례를 다루었다. 또한 다공성 등의 나노 구조로 제작된 ITO 전극의 제작 방법별 특징과 이를 센서에 적용한 연구들을 제시하였다. 이를 통해 ITO 전극의 표면 특성이 촉매 물질의 고정 및 ITO 자체의 촉매 성능에 미치는 영향을 이해하고, 안정적이고 효율적인 전기화학 센서 설계를 위한 방향성을 제시하고자 한다.

Abstract : Indium tin oxide (ITO), composed of indium(III) oxide doped with 5–10 wt% of tin(IV) oxide, is a type of transparent conductive oxide (TCO) well known for its high electrical conductivity and optical transparency. Due to its electrochemical properties such as low background current, wide potential window, and its feasibility in surface modification, ITO is widely used as a substrate for electrochemical sensors and electrocatalysts. However, since ITO itself exhibits poor catalytic abilities, it is often modified with catalytic materials such as enzymes or metals. This review discusses the fabrication methods, surface characteristics, and modification strategies of ITO, along with research involving its use in electrochemical sensors, to provide insights into its properties and support the development of stable and efficient sensor designs.