한국전기화학회

Vol.10, No.2, May 2007

Cu Metallization for Giga Level Devices Using Electrodeposition전해 도금을 이용한 기가급 소자용 구리배선 공정: JKES Vol.10, No.2, pp.94~103, May 2007; DOI : 10.5229/JKES.2007.10.2.094

Soo-Kil Kim, Min Cheol Kang†, Hyo-Chol Koo†, Sung Ki Cho†, Jae Jeong Kim*†, and Jong-Kee Yeo††김수길·강민철†·구효철†·조성기†·김재정*†·여종기††

Center for Fuel Cell Research, Korea Institute of Science and Technology, Hawolgok-dong, Sungbuk-gu, Seoul, 136-791, Korea †School of Chemical and Biological Engineering, Seoul National University, Shillim-dong, Kwanak-gu, Seoul, 151-742, Korea ††LG Chem 한국과학기술연구원연료전지연구단, 136-791 서울시성북구하월곡동 †서울대학교화학생물공학부, 151-742 서울시관악구신림동 ††LG 화학, 305-380 대전광역시유성구문지동

반도체 소자의 고속화, 고집적화, 고신뢰성화에 대한 요구는 알루미늄 합금으로부터 구리로의 배선 물질의 변화를 유도 하였다. 낮은 비저항과 높은 내열화성을 특징으로 하는 구리는 그 전기적, 재료적 특성이 알루미늄과 상이하여 배선 형 성에 있어 새로운 주변 재료와 공법을 필요로 한다. 본 총설에서는 상감공정(damascene process)을 사용하는 다층 구 리 배선 공정에 있어 핵심이 되는 구리 전해 도금(electrodeposition) 공정을 중심으

Keyword : The transition of interconnection metal from aluminum alloy to copper has been introduced to meet the requirements of high speed, ultra-large scale integration, and high reliability of the semiconductor device. Since copper, which has low electrical resis

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JKES

Vol.10, No.2, May 2007